1 引言该器件专门设计用于中高电流应用。相对于600v igbt3，全新芯片具备更出色的关断软度和更高的阻断电压功能。此外，该器件的短路能力大幅增强。而600v igbt3主要适用于低功率应用或杂散电感很低的高功率应用。
图1 全新650v igbt4的截面图
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