自1985年绝缘门极双极型晶体管（IGBT）进入实际应用以来，由于具有绝缘栅型场效应管的高输入阻抗及双极型三极管的低导通压降、以及驱动电路简单、安全工作区宽等优点，IGBT快速成为主流电力电子器件，在10kHz~100kHz的中压、中电流应用范围中占有十分重要的地位。IGBT及其模块（包括IPMs）已经涵盖了600V~6.6kV的电压和1A-3500A的电流范围，应用IGBT模块的100MW级的逆变器也已有商品问世。

在国家产业政策支持和国民经济发展的推动下，我国IGBT技术和产业近年来取得了长足的进步，初步建立了从芯片设计到芯片封装、测试的产业链。600V、1200V、1700V/100A~300A的IGBT和600V、1200V、1700V/100A~400A FRD