摘 要：对功率半导体而言，提高可靠性、延长生命周期，而成本保持不变或更低，这一直是很多电力电子工程师的不懈追求。从理论上说，所有这些改进都取决于高功率密度的潜力。随着时间的推移，即使半导体本身能持续改进电流密度，热堆栈及相关焊接和连接技术仍然是制约因素。当综合判断碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）的潜力时，尤其如此。本文提出了一种高可靠性的功率模块解决方案，即一种可靠性特别高同时可保持粗线绑定技术较高的设计灵活性的互连技术。对于本文提出的解决方案而言，采用低压烧结工艺，可完成晶粒粘着。通过以下三种创新解决方案，可实现顶层互连：可烧结顶层金属化、采用与芯片金属化顶层相连接的金属缓冲板（丹佛斯粘合缓冲板—DBB），最后用铜线连接。关键词：低压烧结；丹佛斯DBB®；高功率密度
Abstract: An increase in reliability a
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