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日本防务省资助富士通公司研究金刚石和碳化硅衬底散热技术

作 者: 来自:2017年第12期"视点" 阅读 23278

  12月6日至9日美国加利福尼亚州的IEEE半导体接口专家会议(SISC2017)上,日本富士通公司及其子公司富士通实验室公司(Fujitsu Laboratories Ltd)介绍了据称是第一个室温下实现单晶金刚石和碳化硅(SiC)衬底焊接,关键是这两者都是硬质材料,但具有不同的热膨胀系数。

  使用这种技术散热可以高效率地冷却高功率氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),从而使功率放大器在高功率水平下稳定工作。
 

  传统GaN HEMT——SiC衬底散热

  近年来,高频GaN-HEMT功率放大器已被广泛用于雷达和无线通信等远程无线电领域,预计还将用于天气雷达观测局部暴雨,或者即将出现的5G毫米波段移动通信协议。对于这些使用微波到毫米波频段雷达或无线通信系统,通过提高用于传输的GaN-HEMT功率放大器的输出功率,无线电波能够传播的距离将增大,可扩展雷达观测范围,实现更远和更高容量的通信。

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