国际半导体电荷存储技术中，“写入速度”与“非易失性”两种性能一直难以兼得。记者日前从复旦大学微电子学院获悉，该校张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件，开创了第三类存储技术，不仅可以实现“内存级”的数据读写速度，还可以按需定制存储器的数据存储周期。

据张卫介绍，目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，如计算机内存，数据写入仅需几纳秒左右，但掉电后数据会立即消失；第二类是非易失性存储，如U盘，数据写入需要几微秒到几十微秒，但无需额外能量可保存10年左右。

为了研发出两种性能可兼得的新型电荷存储技术，该团队创新性地选择了多重二维半导体材料，堆叠构成了半浮栅结构晶体管：二氧化钼和二硒化钨像是一道随手可关的门，电子易进难出，用于控制电荷输送；氮化硼作为绝缘层，像是一面密不透风的墙，使得电子