如何更高效更智能地利用能源，以应对全球气候与资源变化实现可持续发展，功率半导体作为能源产业链的最上游责无旁贷地要提出一些解决方案。过去20年，以英飞凌为主的功率半导体厂家推出、发展一代又一代的Si基IGBT，推动了功率器件市场的可持续进步。然而在即将到来的未来，随着对能源高效、智能、安全、便捷等更加深刻的要求，仅仅靠相对成熟的IGBT产品，难免会捉襟见肘。新型的复合半导体——SiC材料，将成为打开能源高效利用的另一把钥匙。

2018年5月16日，英飞凌携革命性碳化硅产品技术CoolSiC™ MOSFET，在深圳召开英飞凌碳化硅发展论坛，与行业专家分享碳化硅技术革新与发展趋势，以及挑战与机遇，带领行业参与者开启碳化硅的“芯”篇章”。

未来可期，匠心不怠

英飞凌始终相信碳化硅（SiC）代表着未来趋势，因此SiC