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第三代半导体材料步入发展快车道

作 者: 来自:2018年第5期"话题热议" 阅读 20370

 不同于第一代与第二代半导体材料,第三代半导体材料是以氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料,在导热率、抗辐射能力、击穿电场能力、电子饱和速率等方面优势突出,更适用于高温、高频、抗辐射的场合。有关专家指出,第三代半导体器件将在能源汽车、消费类电子领域实现大规模应用。

  随着制备工艺逐步成熟和生产成本的不断降低,第三代半导体材料正以其优良的性能突破传统材料的瓶颈,成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点,美、日以及欧盟都在积极进行战略部署。美国已经将部署第三代半导体战略提升到国家层面,先后启动实施了“

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