三菱电机在功率半导体领域的发展史最早可追溯到1957年，当时三菱电机推出了第一款晶闸管产品，到现在已有62个年头，紧接着在70年代开发了MOSFET分立器件，到80年代开发了MOSFET模块、IGBT模块和IPM模块，在90年代中期开发了举世闻名的双列直插型智能功率模块——DIPIPM^TM，并在2000年以后面向市场逐步推出了SiC  MOSFET功率模块。

六十多年以来，三菱电机在功率半导体领域，始终保持着持续性和创新性的研究与开发，深入挖掘以IGBT /MOSFET为载体的功率器件产品，在产品体验上努力达到“小而美”，而在性能及应用领域全力追求“大而强”。