全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出“1200V第4代SiC MOSFET^※1”，非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。

对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间^※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。

此次开发的新产品，通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构^※3，改善了二者之间的矛盾权衡关系，与以往产品相比，在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约40％。

而且，通过大幅减少寄生电容^※4（开关过程中的课题），与以往产品相比，成功地将开关损耗降低了约50％。

因此，采用低导通电阻和高速开关性能兼具的第4代SiC MOSFET，将非常有助于显著缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积并进一步