近年来，从节能和环保的观点出发，业界对于可大幅降低功率损耗的SiC功率半导体的期待与日俱增。自2010年起，三菱电机就搭载了SiC-SBD^※1或SiC-MOSFET^※2的SiC功率半导体模块。此次，三菱电机新开发功率半导体「SiC-MOSFET 1200V N-系列」，该系列产品具有低功率损耗和高抑制误开通能力，有助于需要功率变换的高压车载充电器和太阳能发电等各种电源系统低功耗化及小型化。该系列6个品种的样品将于2020年7月开始提供。

SiC-MOSFET 1200V-N系列

新产品的特点：

1、搭载高性能SiC-MOSFET，有助于电源系统的低功耗化及小型化

●通过搭载采用了JFET掺杂技术^※3新开发的SiC-MOSFET，具有低导通电阻和低开关损耗，实现了业界领先水平^※4的性能指数（FOM=1450mΩ・nC）^※5。与现有的Si-IGBT产品相比减少了约85％的功率损