为应对气候变化，2020年9月，中国宣布了“2030碳达峰”和“2060碳中和”的愿景。

身处半导体赛道的行业巨头们，早就按捺不住内心的渴望，开始向“碳中和”市场进军。以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体（第三代半导体）成为市场聚焦的新赛道。

碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和漂移速度以及更高的抗辐射能力，是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想材料，是未来半导体产业发展的重要方向，将成为支撑5G网络建设、新能源汽车及充电桩、特高压输变电及轨道交通等"新基建"的关键核心材料。

SiC器件相比Si器件可降低50%以上的能量损失，并减小75%以上的装备体积，是助力社会节能减排并实现“碳中和”目标的重要发展方向。以