随着现代材料科技的创新发展，半导体材料已经由第一代的硅、锗等元素半导体材料，发展为以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料，推动了现代互联网、通信、新能源等新兴产业的快速发展。

我国提出了“双碳”目标后，对半导体材料的应用与发展提出了更高的要求，业内人士纷纷认为，具备可提升能源转换效率特点的第三代半导体产业逐渐进入发展快车道。

毫无疑问，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料具备耐高温、耐高压、高频率、大功率、抗辐射等优异特性，相对硅基功率器件而言，碳化硅或氮化镓器件在5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景都有着绝对优势。而从节能减排的角度来看，功率半导体技术进步的主要方向是提高能源转换效率（减少能源损耗），而第三代半导体材料的特点就是能大大提高能源转换效率，降低损耗。

国内外功率器件企业也纷纷加紧布局第三代半导体，努力提升其