本轮资金将主要用于产品研发以及产品销售等方面，继续加大研发投入以及拓宽应用市场，确保在2023年实现工业应用领域的突破，争取在2024年实现汽车应用领域的突破。

氮矽科技成立于2019年，位于成都市高新区，是国内首批成立的专注于功率氮化镓器件及其驱动器的设计和销售的半导体公司。氮矽科技拥有来自成都矽能科技和核心技术合作伙伴“电子科技大学功率集成技术实验室”的全力支持，旨在实现中国第三代半导体氮化镓（GaN）在电力电子领域的高速发展。

第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用