1  前言

IGBT（insulated grid bipolar transistor），绝缘栅双极型晶体管，具有驱动功率小而饱和压降低等优点，是能源转换与传输的核心器件，是变频器中的关键零件之一。IGBT模块的寿命及稳定性直接影响变频器的性能。而IGBT模块本身工作需要承受较大的电流，每秒开关达上千次，会伴随着开关损耗和通流损耗的产生，如果对IGBT模块无有效的散热措施，使其温度超过设计结温（一般为120~150℃之间），会导致IGBT模块烧毁，影响整个变频器系统的运行。随着变频器单机功率的不断增大以及电子集成技术的进度，IGBT模块不断向高压、大容量、集成化的方向发展^[1]，IGBT模块面临的散热挑战日益提高。

目前，应用于变频器IGBT模块的散热方式主要有强迫风冷和水冷。强迫风冷，因加工简单、成本低，仍有一定范围的使用，但往往伴随着机组运行噪音大、结构尺寸大、散热效果有限等问题。且随着功率密度的增大，强迫风冷已经面临散热瓶颈