Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能给大家带来更多有价值的信息。今天我们着重看下第一部分——短沟道效应。
Si IGBT/MOSFET与SiC MOSFET，尽管衬底材料不一样，但是形成栅极氧化层的材料却是一样的——都是SiO2。SiC-SiO2界面缺陷大于Si-SiO2界面，界面缺陷会降低反型层沟道迁移率，进而提高沟道电阻。对于SiC MOSFET，尽管人们花了很多精力来提高沟道迁移率，但其迁移率仍然远远低于硅的
[登陆后可查看全文]
