与半导体市场整体“低迷”的现状不同，功率半导体市场异常热闹。

　　功率半导体正从传统硅基功率器件IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金氧半场效晶体管），走向以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的时代。

　　在这条赛道上，企业融资并购、厂商增资扩产、新玩家跑步入场、新项目不断涌现。

　　多位长期关注功率半导体发展的专业人士对《中国经营报》记者表示，伴随着 5G、物联网、新能源等行业的迅速发展，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力的碳化硅、氮化镓等为代表的第三代半导体材料进入快速发展阶段，市场前景广阔。

　　大厂入局

　　2018年，特斯拉开始在新能源汽车Model 3的主驱逆变器里，使用基于碳化硅材料的SiC MOSFET，以替代传统的硅基IGBT。此举，正式将SiC从幕后推到台前，也