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采用SiC MOSFET的高性能逆变焊机设计要点

作 者: 来自:2023年第6期"电力电子专栏" 阅读 1980

 

近年来,为了更好地实现自然资源可持续利用,需要更多节能产品,因此,关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装,其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。

 

逆变焊机通常是通过IGBT功率模块解决方案设计来实现更高输出功率,从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸[1]

 

在焊机行业,诸如提高效率、降低成本和增强便携性(即,缩小尺寸并减轻重量)等趋势一直是促进持续发展的推动力。譬如,多个标准法规已经或即将强制规定焊机的电源效率达到特定水平。其中一个例子是,202311日生效的针对焊接设备的欧盟(EU)最新法规[2]。因此,对于使用功率模块作为典型解决方案的10kW40kW中等功率焊机,顺应这些趋势现在已变得非常困难。

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