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三菱电机成功开发

基于【新型结构】的SiC-MOSFET

新型芯片结构能有效防止浪涌电流集中在特定芯片上

图1

新开发的芯片结构（上:芯片截面；下:并联芯片）

三菱电机集团近日（2023年6月1日）宣布，其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构，并已将其应用于3.3kV全SiC功率模块——FMF800DC-66BEW，适用于铁路、电力系统等大型工业设备。样品于5月31日开始发售。该新结构芯片有望帮助实现铁路牵引等电气系统的小型化和节能化，促进直流输变电的普及，从而为实现碳中和做出贡献。

SiC功率半导体因其能显著降低功率损耗而备受关注。三菱电