近期，纳微半导体宣布，该公司的GeneSiC碳化硅功率半导体器件已经被用于埃克塞德科技集团(Exide Technologies)的下一代高频快速充电桩。该高频充电桩将220伏交流电转换为24至80伏的直流电，为搭载了铅酸电池和锂电池的工业车辆充电。

Source：纳微半导体

本次埃克塞德科技的高频快速充电桩采用的是纳微半导体的GeneSiC“沟槽辅助平面栅极”的碳化硅MOSFET技术，其兼具平面和沟槽的优势，具备高效、高速的性能。相比其他碳化硅产品，运行时的最高温度低25°C，寿命延长3倍之多。已公布的100%耐雪崩测试中其耐受能力最高、短路耐受时间延长