新能源汽车和光伏，储能设施在全球加速普及，为第三代半导体碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件产业的落地提供了前所未有的契机。长电科技厚积薄发定位创新前沿，多年来面向第三代半导体功率器件开发完成的高密度成品制造解决方案进入产能扩充阶段，预计2024年起相关产品营收规模翻番，将有利促进第三代半导体器件在全球应用市场的快速上量。

碳化硅，氮化镓产品相对于传统的硅基功率器件具有更高的开关速度，支持高电流密度，耐受更高的温度，低导通和开通损耗的同时，也伴随着一些挑战，如寄生电感效应、封装寄生电阻、电磁干扰等。先进封装技术在解决这些挑战方面发挥了越来越为关键作用。

长电科技和全球领先客户共同开发的高密度集成解决方案融合了多种封装技术，包括开尔文（Kelvin Source）结构、倒装（Flip Chip）技术等，成功减少了寄生电感的干扰。同时，