在电力电子的很多应用，如电机驱动，有时会出现短路的工况。这就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的时间内承受住短路电流而不损坏。
目前市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力，大部分在5~10μs之间，例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10μs，IGBT7短路时间是8μs。
而大部分的SiC MOSFET都没有标出短路能力，即使有，也比较短，例如英飞凌的CoolSiCTM MOSFET单管封装器件标称短路时间是3μs，EASY封装器件标称短路时间是2μs。
为什么IGBT和SiC MOSFET短路能力差这么多，这是SiC天生的缺陷吗？今天我们简单分析一下。
先以IGBT为例，看一下短路时，功率器件内部发生了什么？
功率器件正常工作时处于饱和区，CE电压很低，此时器件电流随CE电压提高而上升。随着CE电压进一步提升，反型层沟道
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