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意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效

作 者: 来自:2023年第9期"电力电子专栏" 阅读 1996

 

近日,意法半导体新系列IGBT晶体管将击穿电压提高到1350V,最高工作温度拓宽到175,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。

新推出的STPOWERIH2系列IGBT还提高了功率转换能效,相关参数十分出色,例如,饱和电压Vce(sat)很低,确保器件在导通状态下耗散功率很低。续流二极管的压降很低,关断电能得到优化,让工作频率16kHz60kHz的单开关准谐振转换器具有更高的能效。

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IGBT具有很好的耐变性和能效,非常适合电磁加热设备,包括厨房炉灶、变频微波炉、电饭锅等家用电器。在2kW应用中,意法半导体

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