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稳定产能1.5万片,量产良率85%!这一企业发布GaN产品

作 者: 来自:2023年第10期"电力电子专栏" 阅读 2006

 

1013日,誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心(宝安新馆) 正式举办氮化镓(GaN)器件品牌发布会,暨誉鸿锦2023年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。发布会由誉鸿锦品牌战略官张雷主持,首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式,带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。实现了1.5年从建厂到中试线稳定产能1.5万片、7天外延至成品器件周期、量产平均良率85%、研发周期和建线成本较行业减少2/3的惊人成果。

 

发布会上,氮化镓半导体产业奠基人之一的酒井士郎教授(誉鸿锦半导体总工)与观众分享氮化镓(GaN)半导体技术的历史沿革、现状发展和未来机会。誉鸿锦提出第三代化合物半导体凭借其显著的性能特点,展示出在新能源汽车、5G通信、可再生能源等领域具有广泛的需求前景,且其器件生产工艺和技术也日趋成熟,但目前的市场普及率仍然非常低,尤其和硅基器件相比仍有数量级差距

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