三菱电机集团近日（2023年11月13日）宣布，将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体。三菱电机将利用其宽禁带半导体技术为Nexperia开发和供应SiC MOSFET芯片，用于其开发SiC分立器件。

全球范围内的电动汽车市场正在不断扩大，有望推动SiC功率半导体的指数级增长，与传统硅功率半导体相比，SiC功率半导体具有更低的损耗、更高的工作温度和更快的开关速度。SiC功率半导体的高效率有望为全球脱碳和绿色转型做出重大贡献。

三菱电机在高速列车、高压工业应用和家用电器等领域占据先端地位，2010年推出了用于空调的SiC功率模块，2015年成为新干线子弹头列车全SiC功率模块的首家供应商。三菱电机在开发和制造SiC功率半导体方面积累了丰厚的专业技术，生产的SiC功率模块以其高性能和高可靠性而闻名。

展望未来，