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瑞萨电子宣布3.39亿美元收购Transphorm,拓展氮化镓GaN产品布局

作 者: 来自:2024年第1期"电力电子专栏" 阅读 1090

114日消息,瑞萨电子宣布以每股5.10美元、总额3.39亿美元(IT之家备注:当前约24.34亿元人民币)收购美国氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm,,相比110日的收盘价溢价约35%

 

官方表示,此次收购将使瑞萨获得GaN内部技术,从而扩展其在电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电源以及快速充电器 / 适配器等快速增长市场的业务范围。

GaN可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸,从而实现更高效、更轻的结构以及更低的总体成本。根据行业研究,GaN的需求预计每年将增长50%以上。

瑞萨表示,他们将采用

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