近日，北京科技大学张铮教授团队和张跃院士团队在二维半导体材料低功耗器件架构方面取得进展。研究成果以“自偏置二硫化钼晶体管基同质结负载型反相器用于亚皮瓦级计算”为题，于2024年1月8日发表在《自然·电子》上。

随着集成电路制程节点的不断推进，传统硅基CMOS器件面临尺寸微缩下高泄漏电流导致的芯片静态功耗无法抑制的重大挑战。二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）材料具有突破尺寸微缩极限的稳定结构、优异的输运性能和对短沟道效应的免疫性，是后摩尔时代最具竞争力的集成电路非硅沟道材料之一。

然而，二维半导体材料无法通过化学掺杂工艺构筑稳定的CMOS器件，因此，亟待开发基于二维材料本征优势的新集成器件架构，研制满足低功耗应用需求的新型逻辑电子器件。

根据国家自然科学基金委员会工程与材料科学部的报道，针对上述挑战，张铮教授团队和张跃院士团队聚焦二维过渡金属硫族化合物材料在集成电路的应用需求，瞄