氮化镓（GaN）功率器件具有击穿电压高、导通损耗低等优异特性，有望成为下一代高密度、高频率电力系统的主流器件。由于其出色的高频性能，GaN功率器件在消费类电子产品中，如快充充电器，已经展示出明显的优势。然而，在像电机驱动这样的工业、汽车应用中，GaN功率器件需要经过额外的可靠性验证，尤其是短路（short circuit）可靠性。不过，目前GaN功率器件的短路可靠性仍处于较差的水平，这阻碍了其在工业级高功率领域的大规模应用。

负载短路状态下，GaN功率器件同时承受高电压和大电流，快速导致晶体管损坏。尽管目前有大量关于测试表征GaN器件短路能力的研究，但很少报道提高其短路能力的方法。为了解决这个问题，有必要降低器件饱和电流密度，以提高晶体管本身固有的短路能力。

针对上述问题，北京大学集成电路学院魏进课题组开发了一种新型GaN功率晶体管结构”，在紧邻源极的区域引入一个肖特基延伸区