德州仪器（TI）近日披露了在GaN功率器件工艺方面新的战略规划，该公司正在将其GaN-on-Si生产工艺从6英寸向8英寸过渡。

3月5日，TI韩国总监Ju-Yong Shin表示，TI正在美国达拉斯、日本会津和其他地方兴建8英寸晶圆厂。据Shin介绍，TI目前采用6英寸工艺生产GaN半导体，达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺，而在日本会津工厂，TI正在将现有的硅基8英寸生产线转换为GaN半导体生产线。

在半导体行业，从一定程度上来说，随着晶圆尺寸越来越大，单位器件成本呈下降趋势。8英寸晶圆的面积是6英寸晶圆的1.78倍，12英寸晶圆的面积是8英寸晶圆的2.25倍，更大的晶圆尺寸意味着可以生产更多的器件，有助于提高生产效率。

有业内人士表示，从6英寸生产工艺转向8英寸工艺，有望将生产成本降低10%以上。由此看来，TI的工艺转型有望降低GaN半导体价格，进而能够提供更低价格的器件以及解决方案，帮助其从降