“满屏‘绿点’，产品整体良率水平达到新高度！”轰鸣的掌声从中国电科产业基础研究院会议室传出，大屏幕上滚动展示的最新批次1200V碳化硅MOSFET产品测试结果，让与会技术人员脸上露出了满意的笑容，标志着他们半年多的加班加点工作终于有了好的回报。

在新能源汽车、工业互联网、5G通信、消费电子等多重需求强力拉动下，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体产业迅猛发展。近年来，产业基础研究院在第三代半导体领域持续发力，不断完善从材料到核心元器件的产业链关键环节布局，实现第三代半导体材料和关键元器件批量供给。

碳化硅作为典型的第三代半导体材料，在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势。“现代电力电子领域对高功率、高电压、高频率器件具有巨大需求，是碳化硅功率产品的主要应用领域。&rdqu