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中国科大在功率电子器件领域取得重要进展

作 者: 来自:2024年第6期"电力电子专栏" 阅读 1881

近日,中国科大微电子学院龙世兵教授课题组的五篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议(IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,简称IEEE ISPSD)报告。IEEE ISPSD是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议,被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议,IEEE ISPSD 2024于今年62日至66日在德国举办。中国科大微电子学院郑柘炀特任教授和徐光伟特任研究员带队参加此次盛会。

1  参会人员合照:郑柘炀教授(右二),徐光伟研究员(右一)。

本次入选的五篇论文工作如下:

1. 氧化镓关键缺陷识

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