经过近五年新能源汽车市场的高速发展，过去价格高昂的SiC功率器件已经被广泛应用到电动汽车上。而SiC的降本，一方面是源自整体产能的不断提高，包括衬底、外延以及晶圆制造等产线扩张；另一部分是源自过去十多年时间里，SiC衬底尺寸从4英寸完全过渡至6英寸，加上良率的提升。更大的衬底尺寸，意味着单片SiC晶圆所能够制造的芯片数量更多，晶圆边缘的浪费减少，单芯片成本降低。
因此目前SiC产业都往8英寸晶圆发展，Wolfspeed的报告显示，以32mm2面积的裸片（芯片）为例，8英寸晶圆上的裸片数量相比6英寸增加近90%，同时边缘裸片数量占比从14%降低至7%，也就是说8英寸晶圆利用率相比6英寸提升了7%。Wolfspeed是全球最早量产8英寸SiC衬底以及晶圆的厂商，2022年4月，Wolfspeed的全球首座8英寸SiC晶圆厂在美国投产。而国内方面，8英寸衬底在近两年的进展神速，多家衬底厂商
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