意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。

选择正确的栅极驱动器对于实现最佳功率转换效率非常重要。随着SiC 技术得到广泛采用，对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高，而ST的STGAP 系列电气隔离栅极驱动器在此成为必不可缺的一环。STGAP2SICS系列针对SiC MOSFET 的安全控制进行了专门优化，并可在高达1200V的高压下工作，使其成为节能型电源系统、驱动器和控制装置的绝佳选择。从工业电动汽车充电系统到太阳能、感应加热和汽车 OBC DC-DC，STGA