近日,英飞凌科技股份公司推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaN^TM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40V至700V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫，这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能8英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaN^TM的优势和产能，确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。

英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White表示：“这两个系列的发布是建立在英飞凌去年收购GaN Systems的基础之上，它们将为我们的客户带来更高的效率和性能。英飞凌新一代高压和中压CoolGaNTM系列展示了我们的产品优势，并且完全采用8英寸工艺制造，证明了GaN在更大晶圆直径上的快速扩展能力