近日，功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)在德国不来梅市举行。本届ISPSD共收到论文投稿338篇，录用141篇，其中口头报告录用42篇。北京大学集成电路魏进/王茂俊团队与物理学院沈波团队合作的6篇高水平论文入选（包含3篇口头报告）。六篇论文内容涉及GaN功率器件热电子效应抑制技术、高性能GaN p-FET器件技术、GaN功率器件动态电阻测试平台、高栅极电压摆幅GaN功率器件、GaN功率器件短路能力提升技术、增强型GaN功率器件动态阈值漂移与误开通现象。论文详情如下：

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GaN功率器件热电子效应抑制技术

目前，GaN功率器件在高压、大功率领域实现了优异的性能。然而，这会导致器件在工作过程中经历高功率应力，产生大量的热电子，这些热电子会轰击器件的表面和缓冲层，