在韩国文化体育观光部的支持下，韩国政府资助的非营利性电子通信研究院（ETRI）与韩国陶瓷工程技术研究所（KICET）合作，开发出了氧化镓（Ga₂O₃）功率半导体的核心材料和器件工艺技术，即韩国开发的首款3kV级氧化镓功率半导体金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件。

氧化镓作为下一代功率半导体的关键材料，一直受到世界各国的积极研究。日本和美国在这一领域一直占据技术优势，但韩国电子通信研究院认为其发展已将差距缩小。

图片：Mun Jae-kyoung博士的研究团队

3kV级适用于城市轨道、地铁和超高速电动汽车充电器。