罗姆半导体公司(ROHM Semiconductor)近日宣布，将与台湾的台积电(TSMC)进一步加强合作，委托台积电生产650V耐压的氮化镓(GaN)功率半导体。这一合作标志着罗姆在GaN技术领域的进一步布局，也显示出台积电在高性能半导体制造方面的实力和影响力。

氮化镓(GaN)功率半导体因其优越的性能，正在逐渐取代传统的硅基功率器件。GaN器件具有更高的开关频率、更低的导通损耗和更高的耐压能力，因此在电源管理、消费电子、汽车及可再生能源等领域展现出广阔的应用前景。罗姆半导体早在2023年就宣布量产650V耐压的GaN产品，并与台达电(Delta Electronics)合作研发相关技术，为此次与台积电的合作奠定了基础。

台积电在GaN功率半导体的生产方面具有丰富的经验，曾与多家公司开展合作，包括意法半导体(STMicroelectronics)和Navitas Semiconductor