11月8日，国星光电宣布，旗下子公司风华芯电于近日成功开发出基于扇出面板级封装的D-mode氮化镓半桥模块。

据了解，该模块在封装形式上取得新突破，采用自主研发的扇出面板级封装形式，其通过铜球键合工艺实现氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）和硅（Si MOS）芯片的凸点结构，借助再布线层（RDL）的镀铜工艺实现互连，达到4个功率管有效互连效果，并形成半桥拓扑结构，实现模块内部结构的高密度集成，减少产品体积，提升性能优势。