在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际，英飞凌科技股份公司一直站在创新前沿，利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的所有相关半导体材料大幅推动低碳化和数字化领域的发展。

英飞凌在其 《2025年GaN功率半导体预测报告》中强调，GaN将成为影响游戏规则的半导体材料，它将极大改变大众在消费、交通出行、住宅太阳能、电信和AI数据中心等领域提高能效和推进低碳化的方式。GaN可为终端客户的应用带来显著优势，包括提高性能效率、缩小尺寸、减轻重量和降低总体成本。如今USB-C充电器和适配器在GaN的应用方面已经处于领先，有更多行业即将达到GaN应用的临界点，从而极大地推动了基于GaN的功率半导体市场的发展。

英飞凌GaN业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“英飞凌致力于通过基于包括Si、SiC和GaN在内的全部半导体材料的创新来推动