近日，Nexperia（安世半导体）宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。

自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。

Nexperia此次发布的E-mode GaN FET新产品包括新型低压40 V双向器件(RDSon<12 mΩ)，以便支持过压保护(OVP)、负载切换和低压应用，如移动设备和笔记本电脑中的电池管理系统(BMS)。此外，此次发布还推出了100 V和150 V器件(RDSon<7 mΩ