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纳微半导体发布全球双向氮化镓开关

作 者: 来自:2025年第3期"电力电子专栏" 阅读 6680

312日,纳微半导体重磅发布全球首款量产级650V双向GaNFast™氮化镓功率芯片及高速隔离型栅极驱动器,通过单级BDS(双向开关)变换器实现电源技术范式跃迁。该技术将推动传统双级拓扑向单级架构转型,目标市场涵盖电动汽车充电(车载充电机OBC及充电桩)、光伏逆变器、储能系统及电机驱动等领域,开启数十亿美元级市场机遇。

目前,超过70%的高压功率变换器采用双级拓扑,例如AC-DC车载充电机需先经PFC级,再经DC-DC级,并依赖笨重的直流母线电容缓冲,复杂的架构导致此类系统体积庞大、能效低下且成本高昂。双向GaNFast™氮化镓技术将两级整合为单级高频高效架构,彻底消除电容与输入电感,成为电动汽车OBC等场景的终极解决方案。

一家领先的电动汽车及光伏微逆制造商已开始采用单级BDS变换器以提升其系统效率、缩小尺寸并降低成本。搭载GaNFast&tr

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