3 月 5 日，东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，他们的IGBT封测后道工厂正式竣工，将于今年6月全面投产，配合贺兰12英寸IGBT晶圆厂，预计将产能提升100%。

当天，东芝在在姬路半导体工厂（日本兵库县）举行了“全新汽车功率半导体后道封测制造大楼”的竣工仪式。新厂房的投资额达数十亿日元（10亿日元约等于4900万人民币）。

东芝执行董事栗原典安表示，该工厂正在进行设备安装和调试，计划于将于6月左右开始全面生产。新工厂将承担IGBT等功率半导体的后道封装业务，产品将供应给日本汽车相关厂商。

东芝将功率半导体业务定位为增长领域，并计划在截至2026财年的三年内共计向该业务投资约1000亿日元（约49亿人民币）。栗原典安还表示，“尽管电动汽车的需求处于半停滞状态，但电动化的趋势没有改变，未来的功率半导体需求将会大幅增加。”