近日，《应用物理快报》刊登了一篇名为《蓝宝石基3kV单芯片双向GaN HEMT》的文章，其作者及研究团队来自于威斯康星大学麦迪逊分校，透露了单片双向GaN晶体管的最新研究进展。该研究团队表示，他们通过优化欧姆接触、场板结构等工艺，开发了基于蓝宝石衬底的3kV单片双向GaN HEMT，在提升击穿电压的同时保持低导通电阻：

●击穿电压：≥3 kV（受限于测试设备上限），漏极/栅极漏电流分别稳定在90 μA mm−1及2 μA mm−1。

●导通电阻：20 Ω·mm（对应比导通电阻11mΩ·cm²），与TLM测试结果一致。

●阈值电压：-3.25 V（定义于1mA/mm），亚阈值摆幅为92 mV/dec，开关比>10⁵。

研发背景

过去，传统双向开关方案通过两个单向晶体管反