4月8日午间，士兰微披露公司碳化硅项目的最新进展。经过加快建设，第Ⅱ代SiC芯片生产线产能正在释放。同时，第Ⅳ代SiC芯片与模块已送样，且预计今年将上量。

　　公告显示，2024年，士兰微加快推进“士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。截至目前，士兰明镓已形成月产9000片6英寸SiC MOS芯片的生产能力。基于公司自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在4家国内汽车厂家累计出货量5万只，客户端反映良好，随着6英寸SiC芯片生产线产能释放，已实现大批量生产和交付。

　　目前，士兰微已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标接近沟槽栅SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量。

　　同时，士兰微还加快推进“士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线”项