·英飞凌工业半导体赵佳

碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题：即如何实现平衡性能、鲁棒性、可靠性和易用性的设计。比导通电阻是衡量SiC MOSFET技术先进性的关键参数，但其它标准，例如可靠性，也是制约器件表现的重要因素。对于不同的应用，导通电阻与可靠性之间的折衷也略有差异。因此，合理的器件定义应当保证设计灵活性，以满足不同的任务需求，无需大量设计工作和设计布局变化。

英飞凌CoolSiC™故障率比IGBT