5月21日，在科创板先进轨道交通行业专场业绩说明会上，株洲中车时代电气股份有限公司（以下简称"中车时代电气"）向投资者详细披露了碳化硅（SiC）半导体产业的战略布局与技术突破。该会议通过上证路演中心平台举行，重点聚焦企业核心项目建设及技术发展规划。

据董事长李东林介绍，公司正在推进的株洲三期项目将于2024年11月正式动工，规划建设8英寸碳化硅晶圆产线。建设节点显示，主体厂房将于2025年5月完成封顶，同年下半年启动设备搬迁调试工作，预计2025年底实现产线贯通目标。作为对比，企业当前已建成6英寸碳化硅芯片产线，年产能稳定在2.5万片。

技术研发方面，公司已完成第三代精细平面栅结构产品的技术定型，其性能指标已达到业内主流标准；第四代沟槽栅结构产品设计定型，技术层级跃居行业前沿，同时已完成第五代碳化硅技术的预研布局。产品矩阵覆盖3300V高压平面栅MOSFET、1200V精细平面栅