6月，红与蓝微电子在官微透露，他们与中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管理委员会、上海临港经济发展集团科技投资有限公司正式签署了三方投资与扶持协议。

红与蓝微电子表示，此次签署的扶持协议，将助力红与蓝微电子进一步完善自身技术，强化区域微电子产业链。他们将发挥自身在 GaN 领域的技术优势，努力提高 GaN 芯片迭代速度，扩大研发规模及产能，推出多款自主知识产权产品，并开展合作，推动产业发展。

据了解，红与蓝微电子位于上海临港新片区，专注于研发以第三代半导体 GaN 为代表的功率半导体，探索 Fab-Lite 经营模式，签约运行8英寸氮化镓中试线。

此外，红与蓝微电子打造了上海临港新片区总部研发基地、佛山南海区工艺创新与制造基地、深圳南山区全球市场与服务基地，拥有自主研发的 GaN 器件结构、工艺配方和集成电路 IP 族群，并已开发出 650V/900V 氮化镓产品平台。