6月27日，深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司，在国产宽禁带半导体功率器件领域取得重大突破，其成功攻克1200V沟槽栅碳化硅MOSFET芯片核心技术难题，并构建了8英寸工艺平台，实现自主知识产权8英寸高性能1200V沟槽栅碳化硅MOSFET芯片的成功流片，其专利公开号为CN118610269A。
图片来源：深圳平湖实验室
图为8英寸高性能沟槽栅SiC MOSFET结构（专利）示意图及芯片剖面图
该芯片的静态性能指标实现了业内领先的低比导通电阻（<2.1mΩ·cm²），优于国际主流高可靠厂商的技术水平（如
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