众所周知，新能源汽车主驱逆变器对碳化硅芯片的可靠性要求非常高，为确保逆变器在整个使用寿命期间功能正常，通常碳化硅芯片产品在出厂前均需进行老化测试，以筛选掉可靠性异常的SiC MOSFET芯片。

但是如何高效、低成本而准备地筛选异常SiC芯片一直是产业界的难题。

近日，理想汽车在第37届ISPSD会议上发表了题为《Analysis on BVDSS Outlier Chips and Screening Technology for 1.2 kV Automotive SiC MOSFETs》（1200V汽车级碳化硅MOSFET芯片击穿电压异常芯片的分析与筛选技术研究）的论文。

该论文表示，SiC外延层中的非致命缺陷会导致SiC MOSFET出现击穿电压异常（BVDSS），最终导致主驱逆变器出现老化测试失效。而理想汽车通过将UIS测试融入到KGD测试中，成功将碳化硅模块的HTRB老化失效率降低了近一个数量级。

据理想汽车透露，他们