6月18日，由东风汽车与株洲中车合作成立的智新半导体在官微宣布，他们首批1700V SiC MOSFET模块正式下线，标志着该项目取得重大阶段性成果，为后续批量装车应用奠定了坚实基础。

据了解，智新半导体的1700V电压等级SiC模块尤其契合1200V平台主驱逆变器的需求，可用于高性能高端越野车、电动卡车、电动矿车的三相逆变器、OBC模块、兆瓦级超级充电桩等场景：

·采用经典HPD封装形式，耐压直接提升至1700V，且保持模块尺寸基本不变；

·采用平面型封装与芯片间隔排布，降低寄生电感≤10nH；

·导通损耗：3mΩ以内阻抗，相比IGBT降低