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英飞凌推出用于电动汽车的新一代高功率节能型 IGBT 和 RC-IGBT 芯片

作 者: 来自:2025年第6期"电力电子专栏" 阅读 252

   

  随着纯电动汽车(BEV)和插电式混合动力电动汽车(PHEV)销量的快速增长,电动汽车市场的发展在不断加速。预计到?2030?年,电动汽车的生产比例将实现两位数增长,从2024年的20%增长至45%左右。为满足对高压汽车IGBT芯片日益增长的需求,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出新一代产品,包括为400 V800 V系统设计的EDT3(第三代电力传动系统)芯片,以及为800 V系统量身定制的RC-IGBT芯片。这些产品能够提高电力传动系统的性能,尤其适用于汽车应用。

  EDT3RC-IGBT裸芯片专为提供高质量而可靠的性能而设计,助力客户开发定制功率模块。新一代EDT3EDT2有了显著的进步,其在高负载下的总损耗减少了20%,同时保持了低负载下的效率。这一进步得益于大幅减少芯片损耗和提高最高结温的优化措施,使得芯片在高负载性能

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